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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC33725TA
BC33725TA PDF预览

BC33725TA

更新时间： 2024-11-04 12:52:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关驱动PC
页数 文件大小 规格书
3页 33K
描述
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages

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BC33725TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.9
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BC33725TA 数据手册

 浏览型号BC33725TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC33725TA的Datasheet PDF文件第3页 
BC337/338  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC327/BC328  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC337  
: BC338  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
50  
30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC337  
: BC338  
45  
25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5
800  
V
mA  
mW  
°C  
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
P
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC337  
: BC338  
45  
25  
V
V
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =0.1mA, V =0  
C BE  
: BC337  
: BC338  
50  
30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =0.1mA, I =0  
5
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: BC337  
CES  
V
V
=45V, I =0  
=25V, I =0  
B
2
2
100  
100  
nA  
nA  
CE  
CE  
B
: BC338  
h
h
DC Current Gain  
V
V
=1V, I =100mA  
100  
60  
630  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =300mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.7  
1.2  
V
V
CE  
C
B
V
=1V, I =300mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=5V, I =10mA, f=50MHz  
100  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
16  
100 ~ 250  
60-  
25  
40  
h
h
160 ~ 400  
100-  
250 ~ 630  
170-  
FE1  
FE2  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123

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BC33725TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC33725TF FAIRCHILD

完全替代

 NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33725BU FAIRCHILD

完全替代

 NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC337-25RLRAG ONSEMI

类似代替

 NPN 双极晶体管

与BC33725TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC33725TA_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LE
BC33725TAR FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
BC33725TAR ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Transistor
BC33725TF FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33725TF ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Transistor
BC33725TFR FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33725TFR ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Transistor
BC337-25ZL1 ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
BC337-25ZL1G ONSEMI

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 		Amplifier Transistors NPN Silicon
BC33740 FAIRCHILD

获取价格

 		SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS

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