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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC337-25RLRAG
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BC337-25RLRAG

更新时间： 2024-11-27 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 146K
描述
NPN 双极晶体管

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BC337-25RLRAG 数据手册

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BC337, BC337-25,  
BC337-40  
Amplifier Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• These are Pb−Free Devices  
COLLECTOR  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
BASE  
Rating  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
CBO  
3
EMITTER  
V
50  
Vdc  
V
EBO  
5.0  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
C
800  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
TO−92  
CASE 29  
STYLE 17  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
1.5  
12  
W
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1
1
2
2
3
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JA  
R
q
JC  
83.3  
MARKING DIAGRAM  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
BC33  
7−xx  
AYWW G  
G
BC337−xx = Device Code  
(Refer to page 4)  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
June, 2009 − Rev. 7  
BC337/D  
12345

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BC337-25RLRAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC337-25ZL1G ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistors NPN Silicon
BC33725TA FAIRCHILD

类似代替

 Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
BC337-25RL1G ONSEMI

类似代替

 Amplifier Transistors NPN Silicon

与BC337-25RLRAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC337-25-T/R NXP

获取价格

 		500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
BC337-25-T92-B UTC

获取价格

 		Transistor
BC337-25-T92-K UTC

获取价格

 		Transistor
BC33725TA FAIRCHILD

获取价格

 		Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
BC33725TA ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Transistor
BC33725TA_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LE
BC33725TAR FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
BC33725TAR ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Transistor
BC33725TF FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC33725TF ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Transistor

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