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BAV70LT1

更新时间： 2024-11-17 22:05:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode

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BAV70LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.1
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAV70LT1 数据手册

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by BAV70LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
ANODE  
1
3
2
CATHODE  
ANODE  
3
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
1
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
70  
Vdc  
R
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT–23 (TO–236AB)  
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
FM(surge)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BAV70LT1 = A4  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
V
(BR)  
70  
—
Vdc  
(I  
(BR)  
= 100 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 25 Vdc, T = 150°C)  
I
R
µAdc  
—
—
—
60  
2.5  
100  
R
J
(V = 70 Vdc)  
R
(V = 70 Vdc, T = 150°C)  
R
J
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
V
—
1.5  
pF  
D
Forward Voltage  
mVdc  
F
(I = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
715  
855  
1000  
1250  
F
(I = 10 mAdc)  
F
(I = 50 mAdc)  
F
(I = 150 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
R
= 100 Ω  
t
rr  
—
6.0  
ns  
L
(I = I = 10 mAdc, V = 5.0 Vdc, I  
= 1.0 mAdc) (Figure 1)  
F
R
R
R(REC)  
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4  
0.3  
0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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BAV70LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV70LT3G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV70LT1/D ETC

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 		Monolithic Dual Common Cathode Switching Diode
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 		High-speed switching diodeProduction
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 		Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;

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