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BAV70M

更新时间： 2024-02-25 21:56:52

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
11页	205K
描述
High-speed switching diodeProduction

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BAV70M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-101
包装说明：	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.57
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.715 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.75 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30

BAV70M 数据手册

BAV70M

High-speed switching diode

1 July 2022

Product data sheet

1. General description

High-speed switching diode, encapsulated in an ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

•

Low capacitance: C_d≤ 1.5 pF

Low leakage current

Reverse voltage: V_R≤ 100 V

Ultra small SMD plastic package

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per diode

I_R

reverse current

reverse voltage

V_R= 80 V

0.5

100

µA

V_R

t_rr

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; I_R(meas)= 1 mA;

R_L= 100 Ω; T_amb= 25 °C

12 3 4 5 6 7...11

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