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BAV70QA,147

更新时间： 2024-02-12 07:08:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	276K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon

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BAV70QA,147 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DFN1010D-3, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-N3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.325 W
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAV70QA,147 数据手册

BAV70QA

Dual common cathode high-speed switching diode

4 May 2016

Product data sheet

1. General description

Dual common cathode high-speed switching diode encapsulated in a leadless ultra small

DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and

solderable side pads.

2. Features and benefits

•

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

•

Low leakage current: I_R≤ 0.5 µA

Reverse voltage V_R≤ 100 V

Low capacitance C_d≤ 1.5 pF

Ultra small SMD plastic package

Low package height of 0.37 mm

AEC-Q101 qualified

Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per diode

I_F

forward current

reverse voltage

reverse current

T_amb= 25 °C; single diode loaded

T_j= 25 °C

[1]

300

100

0.5

V_R

I_R

t_rr

V_R= 80 V; T_j= 25 °C

µA

reverse recovery time I_F= 10 mA; I_R= 10 mA; I_R(meas)= 1 mA;

R_L= 100 Ω; T_amb= 25 °C

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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