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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.52 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 5 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.25 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC50001-022 | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV18_07 | DIOTEC |
获取价格 |
Superfast Switching Si-Planar Diodes |
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| BAV18_11 | DIOTEC |
获取价格 |
Superfast Switching Si-Planar Diodes |
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| BAV18113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
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| BAV18133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18136 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18-A | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
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