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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 60 V | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV18T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18T26A | TI |
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60V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BAV18T26R | TI |
获取价格 |
60V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BAV18T50A | TI |
获取价格 |
60V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BAV18T50R | TI |
获取价格 |
60V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BAV18-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
|
| BAV18-TR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
|
| BAV18X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| BAV19 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Diodes |
|
| BAV19 | DIOTEC |
获取价格 |
Silicon-Planar-Diodes |
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