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BAV18-T

更新时间： 2024-02-03 11:27:13

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RECTRON		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	85K
描述
SIGNAL DIODE,

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BAV18-T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.69
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	0.1 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BAV18-T 数据手册

BAV17

THRU

BAV21

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

FEATURES

Silicon epitaxial planar diode

DO-35 Package,glass case

High speed switching diode

500 mW power dissipation

DO-35

Polarity: Color band denotes cathode

(

)

.022 0.6

DIA.

(

.018 0.46

(

)

1.083 27.5

TYP.

(

)

.150 3.8

MAX.

(

)

.087 2.2

DIA.

MAX.

(

)

1.083 27.5

TYP.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS

UNITS

BAV17

BAV18

BAV19

100

BAV20

150

200

BAV21

200

250

Reverse voltage

Peak reverse voltage

Average forw ard rectified current

Half w ave rectification w ith resist.load

V_R

120

V_RM

I_(AV)

250¹⁾

T =

and f 50Hz

Forw ard surge current @ t<1s and T =

1.0

K/W

I_FSM

P_tot

R_θJA

T_J

500¹⁾

350

Pow er dissipation

@ T_A=25

Thermal resistance junction to ambient

Junction temperature

Storage temperature range

175

-55 --- +175

T_STG

1)Valid prov ided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MIN

TYP

MAX

1.0

UNITS

Forw ard voltage

I_F=100mA

@T_j=25

@T_j=100

@ V =V =0 f=1MH_Z

F R

V_F

I_R

100

Leakage current

μA

at reverse voltage

1.5

Capacitance

Reverse recovery time

from I_F=30mA to I_R=30mA

from I_RR=3mA, R_L=100Ω.

C_J

t_rr

1)Valid prov ided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

2019-04/08

REV:O

ꢀ

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV18T/R	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
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BAV18T26R	TI	获取价格	60V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAV18T50A	TI	获取价格	60V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAV18T50R	TI	获取价格	60V, SILICON, SIGNAL DIODE
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BAV18X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon,
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