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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV18-B | RECTRON |
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SIGNAL DIODE, |
|
| BAV18-F | RECTRON |
获取价格 |
SIGNAL DIODE, |
|
| BAV18R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| BAV18S | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon |
|
| BAV18-T | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon |
|
| BAV18-T | RECTRON |
获取价格 |
SIGNAL DIODE, |
|
| BAV18T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV18T26A | TI |
获取价格 |
60V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BAV18T26R | TI |
获取价格 |
60V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BAV18T50A | TI |
获取价格 |
60V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
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