生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.69 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 60 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV18T26R | TI |
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60V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BAV18T50A | TI |
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60V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BAV18T50R | TI |
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60V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BAV18-TAP | VISHAY |
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Small Signal Switching Diodes, High Voltage | |
BAV18-TR | VISHAY |
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Small Signal Switching Diodes, High Voltage | |
BAV18X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, | |
BAV19 | VISHAY |
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Small Signal Diodes | |
BAV19 | DIOTEC |
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Silicon-Planar-Diodes | |
BAV19 | TSC |
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High Voltage Surface Mount Switching Diode | |
BAV19 | SEMTECH |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES |