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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 250 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAV101/D1 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2 |
|
| BAV101/T3 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Signal Dio |
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| BAV101_09 | PANJIT |
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HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
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| BAV101-13 | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, 120V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2 |
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| BAV10116 | NXP |
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DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BAV10136 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV10153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAV101GS08 | TEMIC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, |
|
| BAV101-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
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| BAV101GS18 | TEMIC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, |
|
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