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BAV102 PDF预览

BAV102

更新时间： 2024-09-15 11:13:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI IOT二极管
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
通用型高电压二极管

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BAV102 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：O-LELF-R2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.64
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：361286Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：MiniMELF/SOD?80 CASE 100AD ISSUE OSamacsys Released Date：2019-02-05 17:59:53
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：4 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAV102 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
High Voltage, General  
Purpose Diode  
Cathode Band  
BAV102  
Description  
MiniMELF / SOD−80  
A general purpose diode that couples high forward conductance fast  
switching speed and high blocking voltages in a glass leadless LL−34  
surface mount package. Placement of the expansion gap has no  
relationship to the location of the cathode terminal which is indicated  
by the first color band.  
CASE 100AD  
(Color Band Denotes Cathode)  
MARKING DIAGRAM  
Cathode Band (Black)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
A
(T = 25°C unless otherwise noted) (Note 1)  
Symbol  
Parameter  
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
Value  
150  
Units  
V
W
IV  
I
O
200  
mA  
mA  
mA  
A
I
F
500  
(1st band denotes cathode terminal  
and has wider width)  
i
f
Recurrent Peak Forward Current  
600  
I
Non−repetitive Peak Forward Current  
Pulse Width = 1.0 s  
Pulse Width = 1.0 ms  
BAV102 = Specific Device Code  
FSM  
1.0  
4.0  
ORDERING INFORMATION  
T
Storage Temperature Range  
−65 to +200  
−65 to +200  
°C  
°C  
STG  
†
T
J
Operating Junction Temperature  
Device  
BAV102  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
SOD−80  
2,500 Units /  
Tape & Reel  
(Pb−Free)  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Value  
500  
Units  
mW  
P
D
Linear Derating Factor from T = 25°C  
3.33  
350  
mW/°C  
°C  
A
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
q
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol Parameter  
Conditions  
= 100 mA  
R
Min  
Max  
Units  
V
R
Breakdown  
Voltage  
I
200  
−
V
I = 100 mA  
−
−
−
−
−
1.00  
1.25  
100  
100  
5.0  
V
V
Forward  
Voltage  
F
F
I = 200 mA  
F
V
I
R
Reverse  
Current  
V
R
V
R
V
R
= 150 V  
nA  
mA  
pF  
= 150 V, T = 150°C  
A
C
Total  
Capacitance  
= 0, f = 1.0 MHz  
T
t
rr  
Reverse Re- I = I = 30 mA,  
−
50  
ns  
F
R
covery Time  
I
= 1 mA, R = 100 W  
RR  
L
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different  
conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 2  
BAV102/D  
 
1234

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与BAV102相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV102,115 NXP

获取价格

 		BAV102; BAV103 - Single general-purpose switching diodes MELF 2-Pin
BAV102/D1 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2
BAV102/D2 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2
BAV102/T1 ETC

获取价格

 		DIODE GENERAL PURPOSE
BAV102_10 NXP

获取价格

 		Single general-purpose switching diodes
BAV102-13 DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, 200V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2
BAV102GS08 TEMIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 200V V(RRM), Silicon,
BAV102-GS08 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV102GS18 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, DO-213AA, GLASS, SOD-80, MINIMELF-2
BAV102-GS18 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diodes, High Voltage

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