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BAV102-13 PDF预览

BAV102-13

更新时间： 2024-09-14 20:43:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, 200V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2

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BAV102-13 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MELF
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.64
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-LELF-R2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.125 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

BAV102-13 数据手册

 浏览型号BAV102-13的Datasheet PDF文件第2页 
BAV101 - BAV103  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE  
SPICE MODELS: BAV101 BAV102 BAV103  
Features  
·
·
Fast Switching Speed  
Surface Mount Package Ideally Suited for  
Automatic Insertion  
A
B
·
·
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
C
Mechanical Data  
MiniMELF  
·
·
Case: MiniMELF, Glass  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Dim  
A
Min  
3.30  
1.30  
0.28  
Max  
3.70  
1.60  
0.50  
B
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Marking: Cathode Band Only  
Weight: 0.05 grams (approx.)  
C
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
BAV101  
BAV102  
BAV103  
Unit  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
120  
200  
250  
V
VRWM  
VR  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
100  
71  
150  
200  
141  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
106  
250  
V
mA  
mA  
A
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t < 1.0s  
Power Dissipation  
IO  
125  
IFSM  
1.0  
Pd  
500  
mW  
K/W  
°C  
RqJA  
Tj , TSTG  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
300  
-65 to +175  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
IF = 100mA  
TA = 25°C  
A = 100°C  
VFM  
Maximum Forward Voltage  
¾
1.0  
V
Maximum Peak Reverse Current  
@ Rated DC Blocking Voltage  
100  
15  
nA  
mA  
IRM  
¾
¾
¾
T
VR = 0, f = 1.0MHz  
Cj  
trr  
Junction Capacitance  
1.5  
50  
pF  
ns  
IF = IR = 30mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.  
DS12017 Rev. J-2  
1 of 2  
www.diodes.com  
BAV101-BAV103  
ã Diodes Incorporated  
12

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与BAV102-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV102GS08 TEMIC

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BAV102-GS08 VISHAY

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BAV102GS18 VISHAY

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 		Rectifier Diode, DO-213AA, GLASS, SOD-80, MINIMELF-2
BAV102-GS18 VISHAY

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 		Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV102T/R NXP

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 		DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAV102-TP MCC

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