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BAV101GS18

更新时间: 2024-10-26 14:37:39
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 63K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon,

BAV101GS18 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流:1 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:120 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

BAV101GS18 数据手册

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