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BAV102

更新时间： 2024-09-14 08:48:55
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强茂 - PANJIT 二极管开关高压IOT
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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BAV102 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：ROHS COMPLIANT, GLASS, LL-34, MINIMELF-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.64
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.3 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAV102 数据手册

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BAV101~BAV103  
HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES  
Unit : inch (mm)  
MINI-MELF/LL-34  
POWER  
300 mWatts  
VOLTAGE 120 to 250 Volts  
FEATURES  
• Fast switching Speed.  
• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.  
• Silicon Epitaxal Planar Construction.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case: Mini Melf, Glass  
.020(0.5)  
.012(0.3)  
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: Cathode Band  
.020(0.5)  
.012(0.3)  
.146(3.7)  
.130(3.3)  
• Marking: Cathode Band Only  
• Weight: 0.03 grams  
• Packing information  
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ =25°C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
BAV101  
100  
BAV102  
150  
BAV103  
UNITS  
Reverse Voltage  
200  
250  
V
V
Peak Reverse Voltage  
VRRM  
120  
200  
200  
Rectified Current (Average), Half Wave Rectification with  
Resistive Load and f >=50 Hz  
IO  
mA  
A
Peak Forward Surge Current, t=1000ms  
IFSM  
1.0  
Power Dissipation Derate Above at 25O  
Maximum Forward Voltage, IF = 100mA  
C
PD  
300  
mW  
V
VF  
1.0  
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking  
Voltage TJ= 25O  
µA  
IR  
0.1  
C
Typical Junction Capacitance( Note 1)  
Maximum Reverse Recovery (Note 2)  
Typical Thermal Resistance  
CJ  
3.0  
pF  
trr  
75  
ns  
RθJA  
350  
O C / W  
O C  
Operation Junction Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +175  
NOTE:  
1. CJ at VR=0, f=1MHZ  
2. From IF=10mA to IR=-1mA, VR=6Volts, RL=100Ω  
PAGE . 1  
STAD-JAN.06.2009  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV102,115 NXP

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 		BAV102; BAV103 - Single general-purpose switching diodes MELF 2-Pin
BAV102/D1 VISHAY

获取价格

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BAV102/D2 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2
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 		DIODE GENERAL PURPOSE
BAV102_10 NXP

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BAV102-13 DIODES

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BAV102-GS18 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Switching Diodes, High Voltage

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