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BAS52-02V

更新时间: 2024-11-29 22:39:15
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英飞凌 - INFINEON 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 399K
描述
Silicon Schottky Diode

BAS52-02V 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-79
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.69
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.42 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:0.5 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:45 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAS52-02V 数据手册

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BAS52...  
Silicon Schottky Diode  
Medium current rectifier Schottky diode  
Low forward voltage at 200mA  
High reverse voltage  
BAS52-02V  
1
2
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BAS52-02V  
Package  
SC79  
Configuration  
single  
Marking  
y
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Diode reverse voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
V
V
R
750  
2000  
500  
500  
mA  
Forward current  
I
F
I
FSM  
Surge forward current (t = 100µs)  
Average forward current (50/60Hz, sinus)  
Total power dissipation  
I
FAV  
mW  
°C  
P
tot  
T
110°C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
Unit  
K/W  
1)  
R
60  
thJS  
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance  
Nov-04-2002  
1

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