BAS40LT3

更新时间： 2024-10-29 13:05:51

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安森美 - ONSEMI		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	94K
描述
SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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BAS40LT3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	最大功率耗散：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

BAS40LT3 数据手册

BAS40L, SBAS40L

Schottky Barrier Diodes

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching

applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low

forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount

package is excellent for hand held and portable applications where

space is limited.

http://onsemi.com

Features

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

40 VOLTS

SCHOTTKY BARRIER DIODES

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant*

MAXIMUM RATINGS

SOT−23 (TO−236)

CASE 318

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

STYLE 8

Forward Power Dissipation

@ T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

CATHODE

ANODE

Operating Junction and Storage

Temperature Range

−55 to +150

°C

J, stg

MARKING DIAGRAM

Forward Continuous Current

120

Forward Surge Current

t v 1 s

t v 10 ms

FSM

200

600

B1 M G

Thermal Resistance (Note 1)

Junction−to−Ambient (Note 2)

508

311

°C/W

B1 = Specific Device Code

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−4 @ minimum pad.

= Date Code*

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or overbar may vary

depending upon manufacturing location.

2. FR−4 @ 1.0 x 1.0 in pad.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

BAS40LT1G,

SBAS40LT1G

SOT−23

(Pb−Free)

3,000 /

Tape & Reel

BAS40LT3G,

SBAS40LT3G

SOT−23

(Pb−Free)

10,000 /

Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Publication Order Number:

November, 2012 − Rev. 10

BAS40LT1/D

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS40LT3G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes
BAS40LTH	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode with TJ max. = 17
BAS40M	BL Galaxy Electrical	获取价格	Surface mount schottky barrier diode
BAS40M_18	BL Galaxy Electrical	获取价格	Surface mount schottky barrier diode
BAS40P2T5G	ONSEMI	获取价格	120 mA, 40 V, Schottky Barrier Diode
BAS40PT	CHENMKO	获取价格	SCHOTTKY DIODE VOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere
BAS40Q	YANGJIE	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS40-Q1	ANBON	获取价格	SOT-23
BAS40Q-13-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAS40RDW	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS

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