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BAS21S

更新时间： 2024-01-19 05:35:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	326K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BAS21S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.3
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	3	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAS21S 数据手册

M C C

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20736 Marilla Street Chatsworth

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BAS21A/C/S

Micro Commercial Components

Features

•

Power dissipation: 225mW (T_amb=25℃)

225mW 250Volt

Switching Diode

Forward current: 200mA

•

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

SOT-23

BAS21A

BAS21C

BAS21S

Marking: JS2

Marking: JS3

Marking: JS4

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -55℃ to +150℃

Storage Temperature: -55℃ to +150℃

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

Reverse Breakdown

Voltage

Maximum

V_(BR)

250V

I_R=100μA

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Instantaneous

Forward Voltage

V_F

1100mV

I_FM= 100mA;

T_J= 25℃

Maximum DC

V_R=200Volts

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_R

T_J= 25℃

1µA

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

Diode Capacitance

C_D

T_rr

5pF

Measured at

1.0MHz, V_R=0V

.031

.800

Reverse Recovery

Time

50nS

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: 3

2006/06/13

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