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BAS21SRF

更新时间： 2024-09-27 06:41:27

品牌	Logo	应用领域
TSC		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
225mW SMD Switching Diode

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BAS21SRF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.225 W
最大重复峰值反向电压：	250 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

BAS21SRF 数据手册

BAS21 / A / C / S

225mW SMD Switching Diode

Small Signal Diode

SOT-23

Features

Fast switching speed

Surface device type mounting

Moisture sensitivity level 1

Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate

Pb free version and RoHS compliant

Green compound (Halogen free) with suffix "G" on

packing code and prefix "G" on date code

Unit (mm)

Unit (inch)

Min Max

Dimensions

Min

2.80

1.20

0.30

1.80

2.25

0.90

Max

Mechanical Data

Case :SOT-23 small outline plastic package

3.00 0.110 0.118

1.40 0.047 0.055

0.50 0.012 0.020

2.00 0.071 0.079

2.55 0.089 0.100

1.20 0.035 0.043

Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable

per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s

Weight : 0.008gram (approximately)

0.550 REF

0.022 REF

BAS21

BAS21S

BAS21C

BAS21A

Ordering Information

Part No.

Packing

Package

SOT-23

BAS21/A/C/S RF

3Kpcs/ 7" Reel

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

Value

Units

Power Dissipation

225

250

Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Peak Forward Current

Mean Forward Current

V^RRM

IFRM

625

200

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)

Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 2)

Junction and Storage Temperature Range

I^FSM

RθJA

TJ, TSTG

500

°C/W

°C

-55 to + 150

Electrical Characteristics

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

Reverse Breakdown Voltage

I_R=

V^(BR)

250

100μA

100mA

200mA

200V

I_F=

1.00

1.25

100

Forward Voltage

V^F

I_F=

V_R=

V_R=1V,

I^R

μA

Reverse Leakage Current

Junction Capacitance

f=1.0MHz

Trr

Reverse Recovery Time I_F=I_R=10mA, R_L=100Ω, I_RR=1mA

50.0

Notes:1. Test Condition : 8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) Pulse Width=1 μsec

Notes:2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Version : B09

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS21SRFG	TSC	获取价格	225mW SMD Switching Diode
BAS21S-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
BAS21S-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
BAS21SV	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 250 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 2.5 A;Forward V
BAS21SW	NXP	获取价格	High-voltage switching diodes
BAS21SW	NEXPERIA	获取价格	High-voltage switching diodeProduction
BAS21SW	SWST	获取价格	小信号开关二极管
BAS21SW	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.225A,250V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
BAS21SW,115	NXP	获取价格	BAS21W series - High-voltage switching diodes SC-70 3-Pin
BAS21T	MCC	获取价格	150mW 250 Volt Switching Diode

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