5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 1.53 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS21SV | RECTRON |
获取价格 |
Reverse Voltage Vr : 250 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 2.5 A;Forward V |
|
| BAS21SW | NXP |
获取价格 |
High-voltage switching diodes |
|
| BAS21SW | NEXPERIA |
获取价格 |
High-voltage switching diodeProduction |
|
| BAS21SW | SWST |
获取价格 |
小信号开关二极管 |
|
| BAS21SW | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.225A,250V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes |
|
| BAS21SW,115 | NXP |
获取价格 |
BAS21W series - High-voltage switching diodes SC-70 3-Pin |
|
| BAS21T | MCC |
获取价格 |
150mW 250 Volt Switching Diode |
|
| BAS21T | SECOS |
获取价格 |
0.4A , 250V Plastic-Encapsulated Diode |
|
| BAS21T | WILLAS |
获取价格 |
SOT-523 Plastic-Encapsulate Diodes |
|
| BAS21T | TYSEMI |
获取价格 |
Ultra-Small Surface Mount Package, Fast Switching Speed |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
