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BAS21-T1

更新时间： 2024-02-20 16:18:26

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WTE		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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BAS21-T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.03	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.35 W
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS21-T1 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

BAS19 – BAS21

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

Features

High Conductance

Fast Switching

Surface Mount Package Ideally Suited for

Automatic Insertion

TOP VIEW

For General Purpose and Switching

Plastic Material – UL Recognition Flammability

Classification 94V-O

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

SOT-23

Min

Dim

Max

0.51

1.40

2.50

1.05

0.61

2.05

3.05

0.15

1.10

0.61

0.178

0.37

1.19

2.10

0.89

0.45

1.78

2.65

0.013

0.89

0.45

0.076

Mechanical Data

Case: SOT-23, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: See Diagram

Weight: 0.008 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: BAS19 A8

TOP VIEW

BAS20 A80

BAS21 A82

All Dimensions in mm

Maximum Ratings ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

BAS19

BAS20

BAS21

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

V^RM

120

200

150

250

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

Forward Continuous Current (Note 1)

Average Rectified Output Current (Note 1)

Peak Forward Surge Current (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

I^F

I^O

400

200

@ t = 1.0µs

I^FSM

P^d

2.5

350

K/W

°C

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JA

T^j, T^STG

500

-65 to +150

Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

Test Condition

—

1.0

1.25

@ I^F= 100mA

@ I^F= 200mA

Forward Voltage

V^F

Reverse Leakage Current

Junction Capacitance

I^R

C^j

—

100

5.0

@ Rated DC Blocking Voltage

V^R= 0V, f = 1.0MHz

I^F= I^R= 30mA,

I^RR= 0.1 x I^R, R^L= 100ꢀ

Reverse Recovery Time

t^rr

—

Note: 1. Device mounted on fiberglass substrate 40 x 40 x 1.5mm.

BAS19 – BAS21

1 of 3

12 3

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与BAS21-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS21T-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
BAS21-T1-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
BAS21-T3	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T-6L	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.2A,250V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
BAS21T-7	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T-7-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21TA	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21TC	ZETEX	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
BAS21TH	NEXPERIA	获取价格	High-voltage switching diodeProduction
BAS21TM	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY

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