是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.55 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SEPARATE, 3 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 3 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.25 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.3 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压: | 250 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS21TMR6 | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode | |
BAS21TMR6T1G | ONSEMI |
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High Voltage Switching Diode | |
BAS21TPT | CHENMKO |
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FAST SWITCHING DIODE VOLTAGE RANGE 250 Volts CURRENT 200 mAmpere | |
BAS21TR | ETC |
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DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | |
BAS21TRL | YAGEO |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon | |
BAS21TRL13 | YAGEO |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon | |
BAS21T-T | MCC |
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Rectifier Diode, | |
BAS21T-T1 | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAS21T-T1-LF | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAS21T-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC PA |