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BAS21TH

更新时间： 2023-09-03 20:32:45

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	303K
描述
High-voltage switching diodeProduction

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BAS21TH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAS21TH 数据手册

BAS21TH

High-voltage switching diode

18 January 2019

Product data sheet

1. General description

High-voltage switching diode, encapsulated in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Switching speed max. 50 ns

•

Reverse voltage V_R≤ 200 V

Repetitive peak reverse voltage V_RRM≤ 250 V

Small SMD plastic package

High-temperature applications up to 175 °C

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

High-speed switching

General-purpose switching

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

250

I_F

forward current

reverse voltage

forward voltage

[1]

200

1.25

V_R

V_F

I_F= 200 mA; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

pulsed

I_R

t_rr

reverse current

V_R= 200 V

100

reverse recovery time I_F= 30 mA; I_R= 30 mA; R_L= 100 Ω;

I_R(meas)= 3 mA

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-side copper, tin-plated and standard footprint.

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