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BAS21S62Z

更新时间： 2024-09-27 20:06:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon

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BAS21S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAS21S62Z 数据手册

BAS21

CONNECTION DIAGRAM

2 NC

SOT-23

General Purpose High Voltage Diode

Sourced from Process 1H. See MMBD1401 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

W_IV

Working Inverse Voltage

Average Rectified Current

DC Forward Current

250

200

600

700

I_O

I_F

Recurrent Peak Forward Current

i_f

Peak Forward Surge Current

Pulse width = 1.0 second

i_f(surge)

1.0

2.0

Pulse width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-55 to +150

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

150

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

BAS21

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25 C

350

2.8

mW/ C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

R_θ

C/W

ã 1998 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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