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BAS21SLT1D PDF预览

BAS21SLT1D

更新时间： 2024-02-07 19:34:30
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Dual Series High Voltage Switching Diode

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BAS21SLT1D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：2端子数量：3
最大输出电流：0.225 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.225 W
认证状态：COMMERCIAL最大重复峰值反向电压：250 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAS21SLT1D 数据手册

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BAS21SLT1G  
Dual Series High Voltage  
Switching Diode  
Features  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating − Human Body Model: Class 1  
ESD Rating − Machine Model: Class B  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
ANODE  
CATHODE  
2
1
3
MAXIMUM RATINGS  
CATHODE/ANODE  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
Unit  
Vdc  
3
Continuous Reverse Voltage  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
V
R
V
RRM  
250  
Vdc  
1
I
F
225  
mAdc  
mAdc  
2
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
625  
FM(surge)  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 11  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
225  
mW  
D
MARKING DIAGRAM  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
JT M G  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
ꢀ
556  
JA  
G
1
Total Device Dissipation  
P
300  
mW  
D
JT = Device Code  
Alumina Substrate, (Note 2)  
M
= Date Code*  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
ꢀ
417  
JA  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+150  
°C  
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAS21SLT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 5  
BAS21SLT1/D  
 
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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