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BAS19WT-TP

更新时间: 2024-09-16 21:21:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 182K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BAS19WT-TP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.41配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

BAS19WT-TP 数据手册

 浏览型号BAS19WT-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
BAS19WT  
BAS20WT  
BAS21WT  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
Power dissipation: 200mW (Tamb=25?)  
Collector current: 200mA  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
200mW Switching  
Diode  
Marking: BAS19W KA8  
BAS20W KT2  
BAS21W KT3  
SOT-323  
A
D
Maximum Ratings  
C
B
Operating Temperature: -55R to +150R  
·
·
·
Storage Temperature: -55R to +150R  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
F
E
H
G
J
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Reverse Voltage  
K
BAS19WT  
BAS20WT  
BAS21WT  
100V  
150V  
200V  
DIMENSIONS  
INCHES  
VR  
IF  
IR=100IA  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.083  
MAX  
.087  
.053  
.096  
MIN  
1.80  
1.15  
2.10  
MAX  
2.20  
1.35  
2.45  
NOTE  
Peak Forward Current  
Maximum  
200mA  
Instantaneous Forward  
Voltage  
Maximum DC Reverse  
Current At Rated DC  
Blocking Voltage  
Diode Capacitance  
VF  
1.0V  
1.25V  
IFM =100mA;  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.30  
.000  
.90  
.100  
.15  
IFM =200mA;  
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
F
.012  
.000  
.035  
.004  
.006  
VR=100Volts(BAS19WT)  
VR=150Volts(BAS20WT)  
VR=200Volts(BAS21WT)  
Measured at 1.0MHz,  
VR=0V  
G
H
J
IR  
0.1µA  
5pF  
K
CD  
Trr  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
Reverse Recovery  
Time  
50ns  
IF=IR=30mA  
Irr=0.1IR  
0.90  
1.90  
0.65  
0.65  
www.mccsemi .com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/09/24  

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