是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.6 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 最大非重复峰值正向电流: | 2.5 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 150 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS20,215 | NXP |
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BAS20 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin | |
BAS20,235 | NXP |
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BAS20 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin | |
BAS20/E8 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, TO-236AB | |
BAS20/E9 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, TO-236AB | |
BAS20/T1 | ETC |
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DIODE GENERAL PURPOSE | |
BAS20/T3 | NXP |
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0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAS20_08 | FAIRCHILD |
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General Purpose High Voltage Diode | |
BAS20-13-F | DIODES |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE | |
BAS20212 | NXP |
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0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BAS20-7 | DIODES |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |