BAS20

更新时间： 2024-11-30 08:48:19

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		整流二极管信号二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	169K
描述
Small Signal Diodes 250mW

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAS20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SOT-23, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAS20 数据手册

BAS19

THRU

BAS21

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

ꢀ Ideally Suited for Automatic Insertion

ꢀ 150^oC Junction Temperature

ꢀ Fast Switching speed

Small

Signal Diodes

250mW

ꢀ Epitaxial Planar Die Construction

Mechanical Data

ꢀ Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

ꢀ Moisture Sensitivity Level 1

SOT-23

Top View

ꢀ Weight: 0.008 grams ( approx.)

Repetitive

Peak

Reverse

Voltage

V_RRM(V)

Continuous

Reverse

Voltage

V_R(V)

MCC Part

Number

Marking

BAS19

BAS20

BAS21

100

150

200

120

200

250

DIMENSIONS

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

Parameter Symbol Value Unit

Non-repetitive Peak

Forward Surge Current @ t=1s

Average Rectified Forward Current

Forward DC Current at T_amb=25^oC

Repetitive Peak Forward Current

Power Dissipation up to T_amb=25^oC

Thermal Resistance Junction to

Ambient

@ t=1us

2.5

0.5

I_FSM

(1)

I_F(AV)

I_F

200

.085

.37

(2)

200

625

250

Suggested Solder

Pad Layout

I_FRM

.031

.800

tot

^oC/W

^oC

.035

.900

430

.079

2.000

inches

T, T_STG

Operating & Storage Temperature

-65~150

Notes: (1) Measured under pulse conditions;

Pulse time = t_p<= 0.3ms

.037

.950

.037

.950

(2) Device on fiberglass substrate,

See layout on next page

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与BAS20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS20,215	NXP	获取价格	BAS20 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin
BAS20,235	NXP	获取价格	BAS20 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin
BAS20/E8	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, TO-236AB
BAS20/E9	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, TO-236AB
BAS20/T1	ETC	获取价格	DIODE GENERAL PURPOSE
BAS20/T3	NXP	获取价格	0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
BAS20_08	FAIRCHILD	获取价格	General Purpose High Voltage Diode
BAS20-13-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS20212	NXP	获取价格	0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAS20-7	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

与BAS20相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAS20

BAS20 技术参数

BAS20 数据手册

与BAS20相关器件

与BAS20相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAS20

BAS20 技术参数

BAS20 数据手册

与BAS20相关器件

与BAS20相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？