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BAS116LT1/D

更新时间： 2024-01-09 19:16:30
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其他 - ETC 二极管开关
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4页 41K
描述
Switching Diode

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BAS116LT1/D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.03
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：410842Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE AR-ren1Samacsys Released Date：2018-02-27 13:35:32
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BAS116LT1/D 数据手册

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ON Semiconductort  
Switching Diode  
BAS116LT1  
ON Semiconductor Preferred Device  
This switching diode has the following features:  
• Low Leakage Current Applications  
• Medium Speed Switching Times  
• Available in 8 mm Tape and Reel  
Use BAS116LT1 to order the 7 inch/3,000 unit reel  
3
Use BAS116LT3 to order the 13 inch/10,000 unit reel  
1
2
3
1
CATHODE  
ANODE  
CASE 318–08, STYLE 8  
SOT–23 (TO–236AB)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
75  
Unit  
Vdc  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
V
R
I
F
200  
500  
mAdc  
mAdc  
I
FM(surge)  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
q
JA  
Total Device Dissipation  
P
D
(2)  
Alumina Substrate T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
q
JA  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
BAS116LT1 = JV  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage (I = 100 µAdc)  
V
(BR)  
75  
—
Vdc  
BR  
Reverse Voltage Leakage Current (V = 75 Vdc)  
I
R
—
—
5.0  
80  
nAdc  
R
Reverse Voltage Leakage Current (V = 75 Vdc, T = 150°C)  
R
J
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
V
F
—
—
—
—
900  
1000  
1100  
1250  
mV  
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 50 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 150 mAdc)  
F
Diode Capacitance (V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
C
—
—
2.0  
3.0  
pF  
R
D
Reverse Recovery Time (I = I = 10 mAdc) (Figure 1)  
t
rr  
µs  
F
R
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 2  
BAS116LT1/D  
1234

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