BAP64-05W-TP

更新时间： 2024-11-05 13:01:15

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	459K
描述
Pin Diode, 175V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAP64-05W-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	1.67
最小击穿电压：	175 V	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.35 pF	标称二极管电容：	0.52 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	1.35 Ω
二极管电阻测试电流：	0.5 mA	二极管电阻测试频率：	100 MHz
二极管类型：	PIN DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
少数载流子标称寿命：	1.55 µs	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	PIN Diodes
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAP64-05W-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

BAP64-05

Micro Commercial Components

Features

General

Purpose Pin Diodes

250mW

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Low diode capacitance

Low diode forward resistance

MARKING: 5K

SOT-23

Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified

Parameter

Continuous Reverse Voltage

Forward Current

Symbol

V_R

Limits

Unit

175

100

250

I_F

℃

Power Dissipation(T_A=90^oC)

P_D

Junction and Storage temperature

T_j，P_stg

-65~+150

Thermal Resistance Junction to

Ambient

^oC/W

RthJA

500

DIMENSIONS

INCHES

MIN

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Parameter

Symbol Min. TYP Max. Unit

Conditions

Reverse Voltage

Leakage

I_R

V_R=175V

1.0

1.1

V_R=20V

Current

.100

1.12

.180

.51

Forward voltage

V_F

I_F=50mA

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

C_d1

C_d2

C_d3

r_D

0.52

0.37

pF V_R=0V,f=1MHz

Diode capacitance

V_R=1V,f=1MHz

.031

.800

0.23 0.35

pF V_R=20V,f=1MHz

.035

.900

Ω

I_F=0.5mA, f=100MHz

Diode forward

.079

2.000

inches

r_D

Ω

I_F=1mA , f=100MHz

I_F=10mA , f=100MHz

resistance

3.8

r_D

0.7

1.35

Ω

I_F=100mA , f=100MHz

.037

.950

when switched from

I_{F=10 mAto IR= 6 mA; RL=}

100Ω;measured at I_R=3mA

IF=100mA, f=100MHz

Charge carrier

life time

.037

.950

1.55

1.4

μS

τ_L

Series inductance

L_S

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

中文翻译

下载PDF

与BAP64-05W-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAP64-06	TYSEMI	获取价格	High voltage, current controlled RF resistor for RF attenuators and switches
BAP64-06	KEXIN	获取价格	Silicon PIN diode
BAP64-06	NXP	获取价格	Silicon PIN diode
BAP64-06	CJ	获取价格	SOT-23
BAP64-06,215	NXP	获取价格	BAP64-06 - Silicon PIN diode TO-236 3-Pin
BAP64-06_12	MCC	获取价格	General Purpose Pin Diodes 250mW
BAP64-06_15	JMNIC	获取价格	Silicon PIN diode
BAP64-06_2015	JMNIC	获取价格	Silicon PIN diode
BAP64-06-HF	KEXIN	获取价格	PIN Diodes
BAP64-06W	NXP	获取价格	Silicon PIN diode

与BAP64-05W-TP相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAP64-05W-TP

BAP64-05W-TP 技术参数

BAP64-05W-TP 数据手册

与BAP64-05W-TP相关器件

与BAP64-05W-TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAP64-05W-TP

BAP64-05W-TP 技术参数

BAP64-05W-TP 数据手册

与BAP64-05W-TP相关器件

与BAP64-05W-TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？