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BAP65-02 PDF预览

BAP65-02

更新时间： 2024-11-20 22:26:59
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
Silicon PIN diode

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BAP65-02 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.17Is Samacsys：N
最小击穿电压：30 V标称二极管电容：0.65 pF
二极管类型：PIN DIODE少数载流子标称寿命：0.17 µs
最高工作温度：150 °C反向测试电压：
子类别：PIN Diodes表面贴装：YES
Base Number Matches：1

BAP65-02 数据手册

 浏览型号BAP65-02的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Silicon PIN diode  
BAP65 – 02  
FEATURES  
· High voltage, current controlled  
· RF resistor for RF switches  
· Low diode capacitance  
· Low diode forward resistance (low loss)  
· Very low series inductance.  
APPLICATIONS  
1
1
2
CATHODE  
ANODE  
· RF attenuators and switches  
· Bandswitch for TV tuners  
2
SOD523 SC-79  
· Series diode for mobile communication transmit/receive switch.  
DESCRIPTION  
Planar PIN diode in a SOD523 ultra small SMD plastic package.  
LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC60134).  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
–
MAX.  
30  
UNIT  
V
V R  
I F  
continuous reverse voltage  
continuous forward current  
total power dissipation  
storage temperature  
I
–
100  
mA  
mW  
°C  
P tot  
T stg  
T j  
T s  
<
90°C  
–
715  
-65  
-65  
+150  
+150  
junction temperature  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS T j = 25°C unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
forward voltage  
reverse current  
diode capacitance  
CONDITIONS  
I F =50 mA  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
V F  
I R  
0.9  
–
1.1  
20  
–
V R =20 V  
nA  
pF  
pF  
pF  
pF  
Ω
C d  
V R = 0; f = 1 MHz  
0.65  
0.55  
0.5  
V R = 1 V; f = 1 MHz  
0.9  
0.8  
–
V R = 3 V; f = 1 MHz  
V R = 20 V; f = 1 MHz  
0.375  
1
r D diode forward resistance  
I F = 1 mA; f = 100 MHz;  
I F = 5 mA; f = 100 MHz; note 1  
I F = 10 mA; f = 100 MHz; note 1  
I F = 100 mA; f = 100 MHz;  
V R = 0; f = 900 MHz  
–
0.65  
0.56  
0.35  
10  
0.95  
0.9  
–
Ω
Ω
Ω
2
|s 21  
|s 21  
|s 21  
|s 21  
|s 21  
|
|
|
|
|
isolation  
–
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
V R = 0; f = 1800 MHz  
5.8  
–
V R = 0; f = 2450 MHz  
4.4  
–
2
2
2
2
insertion loss  
insertion loss  
insertion loss  
insertion loss  
I F = 1 mA; f = 900 MHz  
I F = 1 mA; f = 1800 MHz  
I F = 1 mA; f = 2450 MHz  
I F = 5 mA; f = 900 MHz  
I F = 5 mA; f = 1800 MHz  
I F = 5 mA; f = 2450 MHz  
I F = 10 mA; f = 900 MHz  
I F = 10 mA; f = 1800 MHz  
I F = 10 mA; f = 2450 MHz  
I F = 100 mA; f = 900 MHz  
I F = 100 mA; f = 1800 MHz  
I F = 100 mA; f = 2450 MHz  
0.11  
0.13  
0.16  
0.08  
0.11  
0.13  
0.07  
0.1  
–
–
–
–
–
–
–
–
0.13  
0.07  
0.1  
–
–
–
0.128  
–
S27–1/2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAP65-02,115 NXP

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 		BAP65-02 - Silicon PIN diode SOD 2-Pin
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