是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-236 | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 0.66 |
其他特性: | HIGH VOLTAGE | 应用: | ATTENUATOR; SWITCHING |
最小击穿电压: | 175 V | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
最大二极管电容: | 0.35 pF | 标称二极管电容: | 0.52 pF |
二极管元件材料: | SILICON | 最大二极管正向电阻: | 1.35 Ω |
二极管电阻测试电流: | 0.5 mA | 二极管电阻测试频率: | 100 MHz |
二极管类型: | PIN DIODE | 频带: | S BAND |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 少数载流子标称寿命: | 1.55 µs |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | PIN Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAR64-06W | INFINEON |
类似代替 |
Silicon PIN Diode (High voltage current controlled RF resistor for RF attenuator and switc |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAP64-06_12 | MCC |
获取价格 |
General Purpose Pin Diodes 250mW | |
BAP64-06_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PIN diode | |
BAP64-06_2015 | JMNIC |
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Silicon PIN diode | |
BAP64-06-HF | KEXIN |
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PIN Diodes | |
BAP64-06W | NXP |
获取价格 |
Silicon PIN diode | |
BAP64-06W | CJ |
获取价格 |
SOT-323 | |
BAP64-06W_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PIN diode | |
BAP64-06W_2015 | JMNIC |
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Silicon PIN diode | |
BAP64-06WS | SECOS |
获取价格 |
Small Signal General Purpose PiN Diode | |
BAP64-06WT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, PIN DIODE, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, PIN Diode |