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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRLR3410
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AUIRLR3410

更新时间： 2024-10-01 08:40:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 247K
描述
HEXFET Power MOSFET

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AUIRLR3410 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.24
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：79 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRLR3410 数据手册

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PD - 97491  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRLR3410  
Features  
Advanced Planar Technology  
HEXFET® Power MOSFET  
Low On-Resistance  
D
Dynamic dV/dT Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
V(BR)DSS  
RDS(on) max.  
ID  
100V  
105m  
17A  
Ω
G
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to  
Tjmax  
S
Lead-Free, RoHS Compliant  
Automotive Qualified *  
D
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this Stripe Planar design of HEXFET® Power  
MOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniques  
toachievelowon-resistancepersiliconarea. This  
benefit combined with the fast switching speed  
andruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower  
MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in Automotive and a wide variety of  
other applications.  
S
G
D-Pak  
AUIRLR3410  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the  
specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Max.  
17  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
12  
A
@ T = 100°C  
C
60  
Pulsed Drain Current  
DM  
79  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
W
W/°C  
V
D
C
0.53  
± 16  
150  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
EAS  
IAR  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Avalanche Current  
mJ  
A
9.0  
EAR  
dv/dt  
7.9  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
T
T
Operating Junction and  
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case )  
°C  
STG  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
04/12/2010  
1234567...12

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AUIRLR3410 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR3410TRPBF INFINEON

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