ATF-13100-GP3

更新时间： 2024-01-27 10:04:49

品牌	Logo	应用领域
安捷伦 - AGILENT		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
2-18 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ATF-13100-GP3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	最大漏极电流 (ID)：	0.09 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-XUUC-N4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.225 W
最小功率增益 (Gp)：	9 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

ATF-13100-GP3 数据手册

2–18 GHz Low Noise

Gallium Arsenide FET

Technical Data

ATF-13100

This GaAs FET device has a

Features

Chip Outline

nominal 0.3 micron gate length

with a total gate periphery of

250 microns.Provengoldbased

metallization systems and nitride

passivation assure a rugged,

reliable device.

• Low Noise Figure:

1.1 dB Typical at 12 GHz

• High Associated Gain:

9.5 dB Typical at 12 GHz

• High Output Power:

17.5 dBm Typical P_{1 dB}at 12 GHz

The recommended mounting

procedure is to die attach at a

stage temperature of 300°C using

a gold-tin preform under forming

gas. Assembly can be preformed

with either wedge or ball bonding

using 0.7 mil gold wire. See also

“Chip Use” in the APPLICATIONS

section.

Description

The ATF-13100 is a high perfor-

mance gallium arsenide Schottky-

barrier-gate field effect transistor

chip. This device is designed for

use in low noise, wideband

amplifier and oscillator applica-

tionsinthe2-18 GHzfrequency

range.

Electrical Specifications, T_A= 25°C

Symbol

Parameters and Test Conditions^[1]

Units Min. Typ. Max.

NF_O

Optimum Noise Figure: V_DS= 2.5 V, I_DS= 20 mA

f=8.0GHz

f=12.0GHz dB

f=15.0GHz dB

0.8

1.1

1.5

1.2

G_A

Gain@NF ;V_DS=2.5V, I_DS= 20 mA

f=8.0GHz

f=12.0GHz dB

f=15.0GHz dB

12.0

9.5

8.0

9.0

P_{1 dB}

Power Output @ 1 dB Gain Compression

V_DS=4V, I_DS=40mA

f=12.0GHz dBm

17.5

G_{1 dB}

g_m

1 dB Compressed Gain; V_DS= 4 V, I_DS= 40 mA

Transconductance: V_DS= 2.5 V, V_GS= 0 V

Saturated Drain Current; V_DS= 2.5 V, V_GS= 0 V

Pinchoff Voltage: V_DS= 2.5 V, I_DS= 1 mA

f=12.0GHz dB

8.5

mmho 30

I_DSS

V_P

-3.0

-1.5

-0.8

Note:

1. RF performance is determined by assembling and testing 10 samples per wafer

5-33

5965-8694E

12 3

下载PDF

与ATF-13100-GP3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ATF13136	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40MA I(DSS) \| MICRO-X	获取价格
ATF13170	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40MA I(DSS) \| MICRO-XVAR	获取价格
ATF13284	AGILENT	1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET	获取价格
ATF-13284	AGILENT	1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET	获取价格
ATF13284STR	AGILENT	1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET	获取价格
ATF-13284-STR	AGILENT	1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET	获取价格