生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DISK BUTTON, O-PRDB-F4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 5 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.09 A |
FET 技术: | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带: | KU BAND |
JESD-30 代码: | O-PRDB-F4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 0.225 W |
最小功率增益 (Gp): | 13 dB | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ATF13284TR1 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF-13284-TR1 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF13284TR2 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF-13284-TR2 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF13336 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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ATF-13336 | AGILENT |
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2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF-13336-STR | AGILENT |
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2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF-13336-TR1 | AVAGO |
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KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, CERAMIC, 36, MICRO-X-4 |
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ATF-13336-TR1 | AGILENT |
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2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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ATF-13736 | AGILENT |
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2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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