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ATF-13336-TR1

更新时间： 2024-02-26 22:57:19

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安华高科 - AVAGO		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	46K
描述
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, CERAMIC, 36, MICRO-X-4

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ATF-13336-TR1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MICROWAVE, S-CXMW-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	5 V	最大漏极电流 (ID)：	0.09 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	S-CXMW-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROWAVE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.225 W
最小功率增益 (Gp)：	8 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

ATF-13336-TR1 数据手册

2–16 GHz Low Noise

Gallium Arsenide FET

Technical Data

ATF-13336

Features

Description

36 micro-X Package

• Low Noise Figure:

1.4 dBTypicalat12 GHz

The ATF-13336 is a high perfor-

mance gallium arsenide Schottky-

barrier-gate field effect transistor

housed in a cost effective micro-

strip package. Its premium noise

figure makes this device appropri-

ate for use in low noise amplifiers

operatinginthe2-16 GHz

• High Associated Gain:

9.0 dBTypicalat12 GHz

• High Output Power:

17.5 dBmTypicalP _1dBat

12 GHz

• Cost Effective Ceramic

Microstrip Package

frequency range.

This GaAs FET device has a

nominal 0.3 micron gate length

with a total gate periphery of

250 microns. Provengoldbased

metallization systems and nitride

passivation assure a rugged,

reliable device.

• Tape-and-Reel Packaging

Option Available^[1]

Electrical Specifications, T_A= 25°C

Symbol

Parameters and Test Conditions

Units Min. Typ. Max.

NF_O

Optimum Noise Figure: V_DS= 2.5 V, I_DS= 20 mA

f=8.0GHz

f=12.0GHz dB

f=14.0GHz

1.2

1.4

1.6

G_A

Gain@NF_O:V_DS=2.5V, I_DS= 20 mA

f=8.0GHz

f=12.0GHz dB

f=14.0GHz dB

11.5

9.0

7.5

8.0

P_{1 dB}

Power Output @ 1 dB Gain Compression:

V_DS=4V, I_DS=40mA

f=12.0GHz dBm

17.5

G_{1 dB}

g_m

1 dB Compressed Gain: V_DS= 4 V, I_DS= 40 mA

Transconductance: V_DS= 2.5 V, V_GS= 0 V

Saturated Drain Current: V_DS= 2.5 V, V_GS= 0 V

Pinch-off Voltage: V_DS= 2.5 V, I_DS= 1 mA

f=12.0GHz dB

8.5

mmho 25

I_DSS

V_P

-4.0

-1.5

-0.5

Note:

1. Refer to PACKAGING section “Tape-and-Reel Packaging for Surface Mount Semiconductors”.

5-36

5965-8724E

12 3

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