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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.225 W | 子类别： | Other Transistors |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ATF-13284 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF13284STR | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF-13284-STR | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF13284TR1 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF-13284-TR1 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF13284TR2 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF-13284-TR2 | AGILENT |
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1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF13336 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40MA I(DSS) | MICRO-XVAR |
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| ATF-13336 | AGILENT |
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2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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| ATF-13336-STR | AGILENT |
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2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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