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AT49BV4096-20RL PDF预览

AT49BV4096-20RL

更新时间： 2024-11-29 19:38:51
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 380K
描述
Flash, 256KX16, 200ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOIC-44

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AT49BV4096-20RL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SOIC-44
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.84最长访问时间：200 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e3
长度：28.195 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：250编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.77 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40类型：NOR TYPE
宽度：13.34 mmBase Number Matches：1

AT49BV4096-20RL 数据手册

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Features  
• Low Voltage Operation  
– 2.7V Read  
– 5V Program/Erase  
• Fast Read Access Time - 120 ns  
• Internal Erase/Program Control  
• Sector Architecture  
– One 8K Words (16K bytes) Boot Block with Programming Lockout  
– Two 8K Words (16K bytes) Parameter Blocks  
– One 232K Words (464K bytes) Main Memory Array Block  
• Fast Sector Erase Time - 10 seconds  
• Word-By-Word Programming - 10 µs/Word  
• Hardware Data Protection  
• DATA Polling For End Of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
– 25 mA Active Current  
– 50 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
4-Megabit  
(256K x 16)  
3-volt Only  
Flash Memory  
Description  
AT49BV4096  
AT49LV4096  
Not Recommended  
The AT49BV4096 and AT49LV4096 are 3-volt, 4-megabit Flash Memories organized  
as 256K words of 16 bits each. Manufactured with Atmel's advanced nonvolatile  
CMOS technology, the devices offer access times to 120 ns with power dissipation of  
just 67 mW at 2.7V read. When deselected, the CMOS standby current is less than  
50 µA.  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49BV4096/LV4096 does not  
require high input voltages for programming. Reading data out of the device is similar  
for New Design  
Contact Atmel to discuss  
the latest design in trends  
and options  
(continued)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A17  
CE  
Function  
Addresses  
TSOP Top View  
Chip Enable  
Type 1  
OE  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
1
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
WE  
2
NC  
3
GND  
I/O15  
I/O7  
I/O14  
I/O6  
I/O13  
I/O5  
I/O12  
I/O4  
VCC  
I/O11  
I/O3  
I/O10  
I/O2  
I/O9  
I/O1  
I/O8  
I/O0  
OE  
4
RESET  
VPP  
5
6
7
Program/Erase Power Supply  
A8  
8
NC  
9
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
I/O0 - I/O15 Data Inputs/Outputs  
WE  
RESET  
VPP  
NC  
NC  
No Connect  
SOIC (SOP)  
NC  
NC  
A17  
A7  
VPP  
NC  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
RESET  
WE  
A6  
2
A5  
A17  
A7  
3
A8  
A4  
4
A9  
A3  
GND  
CE  
A6  
5
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
A15  
A16  
NC  
A2  
A5  
6
A1  
A0  
A4  
7
A3  
8
A2  
9
A1  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
A0  
CE  
GND  
OE  
GND  
I/O15  
I/O7  
I/O14  
I/O6  
I/O13  
I/O5  
I/O12  
I/O4  
VCC  
I/O0  
I/O8  
I/O1  
I/O9  
I/O2  
I/O10  
I/O3  
I/O11  
Rev. 0985B–10/98  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49BV4096-20TC ATMEL

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 		4-Megabit 256K x 16 3-volt Only CMOS Flash Memory
AT49BV4096-20TI ATMEL

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 		4-Megabit 256K x 16 3-volt Only CMOS Flash Memory
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 		4-Megabit 512K x 8/ 256K x 16 CMOS Flash Memory
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