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AT49BV4096A-90RI

更新时间： 2024-11-24 15:31:47
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 274K
描述
Flash, 256KX16, 90ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOIC-44

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AT49BV4096A-90RI 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SOIC-44针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.54
最长访问时间：90 ns备用内存宽度：8
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：28.195 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.77 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：13.34 mmBase Number Matches：1

AT49BV4096A-90RI 数据手册

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Features  
• Single-voltage Read/Write Operation: 2.7V to 3.6V (BV), 3.0V to 3.6 (LV)  
• Fast Read Access Time – 70 ns  
• Internal Erase/Program Control  
• Sector Architecture  
– One 8K Words (16K Bytes) Boot Block with Programming Lockout  
– Two 4K Words (8K Bytes) Parameter Blocks  
– One 240K Words (480K Bytes) Main Memory Array Block  
• Fast Sector Erase Time – 10 Seconds  
• Byte-by-byte or Word-by-word Programming – 30 µs Typical  
• Hardware Data Protection  
• DATA Polling for End of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
– 25 mA Active Current  
– 50 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
4-megabit  
(512K x 8/  
256K x 16)  
Single 2.7-volt  
Battery-Voltage™  
Flash Memory  
Description  
The AT49BV/LV4096A is a 3-volt, 4-megabit Flash memory organized as 524,288  
words of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. Manufactured with Atmel’s  
advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to 70 ns with  
power dissipation of just 67 mV at 2.7V read. When deselected, the CMOS standby  
current is less than 50 µA.  
The device contains a user-enabled “boot block” protection feature. The  
AT49BV/LV4096A locates the boot block at lowest order addresses (“bottom boot”).  
AT49BV4096A  
AT49LV4096A  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49BV/LV4096A does not  
require high input voltages for programming. Reading data out of the device is similar  
to reading from an EPROM; it has standard CE, OE, and WE inputs to avoid bus con-  
tention. Reprogramming the AT49BV/LV4096A is performed by first erasing a block of  
data and then programming on a byte-by-byte or word-by-word basis.  
(continued)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A18  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
OE  
WE  
RESET  
RDY/BUSY  
Ready/Busy Output  
I/O0 - I/O15 Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
I/O15(A-1)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
BYTE  
NC  
Rev. 1618A–12/99  
1234567...14

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与AT49BV4096A-90RI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49BV4096A-90TC ETC

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 		EEPROM|FLASH|256KX16/512KX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC
AT49BV4096A-90TI ATMEL

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 		Flash, 256KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48
AT49BV4096A-90TJ ATMEL

获取价格

 		Flash, 256KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48
AT49BV4096A-90TL ATMEL

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 		Flash, 256KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48
AT49BV4096AT ATMEL

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 		4-Megabit 512K x 8/ 256K x 16 CMOS Flash Memory
AT49BV4096AT-12RC ATMEL

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 		4-Megabit 512K x 8/ 256K x 16 CMOS Flash Memory
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 		4-Megabit 512K x 8/ 256K x 16 CMOS Flash Memory
AT49BV4096AT-12TI ATMEL

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 		4-Megabit 512K x 8/ 256K x 16 CMOS Flash Memory
AT49BV512 ATMEL

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 		512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory

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