是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | HARDWARE DATA PROTECTION |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.05 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.59 mm |
部门规模: | 8K,56K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT49BV512-12PI | ATMEL |
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512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV512-12TC | ATMEL |
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512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV512-12TI | ATMEL |
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512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV512-12TJ | ATMEL |
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Flash, 64KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 | |
AT49BV512-12TL | ATMEL |
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Flash, 64KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 | |
AT49BV512-12VC | ATMEL |
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512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV512-12VI | ATMEL |
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512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV512-12VJ | ATMEL |
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Flash, 64KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, VSOP-32 | |
AT49BV512-12VL | ATMEL |
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Flash, 64KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, VSOP-32 | |
AT49BV512-15JC | ATMEL |
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512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory |