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AT49BV512-15PC

更新时间： 2024-09-15 23:00:35
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存电池
页数 文件大小 规格书
11页 122K
描述
512K 64K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory

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AT49BV512-15PC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP32,.6
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.91最长访问时间：150 ns
其他特性：HARDWARE DATA PROTECTION启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e0
长度：42.05 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.59 mm部门规模：8K,56K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

AT49BV512-15PC 数据手册

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Features  
• Single Supply Voltage, Range 2.7V to 3.6V  
• Single Supply for Read and Write  
• Fast Read Access Time - 120 ns  
• Internal Program Control and Timer  
• 8K bytes Boot Block With Lockout  
• Fast Erase Cycle Time - 10 seconds  
• Byte By Byte Programming - 30 µs/Byte typical  
• Hardware Data Protection  
• DATA Polling For End Of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
– 25 mA Active Current  
– 50 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
512K (64K x 8)  
Single 2.7-volt  
Battery-Voltage™  
Flash Memory  
Description  
The AT49BV512 is a 3-volt-only, 512K Flash memories organized as 65,536 words of  
8 bits each. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the  
devices offer access times to 120 ns with power dissipation of just 90 mW over the  
commercial temperature range. When the devices are deselected, the CMOS standby  
current is less than 50 µA.  
AT49BV512  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49BV512 does not require  
high input voltages for programming. Three-volt-only commands determine the read  
and programming operation of the device. Reading data out of the device is similar to  
reading from an EPROM. Reprogramming the AT49BV512 is performed by erasing  
the entire 1 megabit of memory and then programming on a byte by byte basis. The  
(continued)  
Pin Configurations  
DIP Top View  
Pin Name  
A0 - A15  
CE  
Function  
NC  
NC  
A15  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VCC  
31 WE  
30 NC  
29 A14  
28 A13  
27 A8  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
A6  
OE  
A5  
26 A9  
A4  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CE  
21 I/O7  
20 I/O6  
19 I/O5  
18 I/O4  
17 I/O3  
A3  
WE  
A2 10  
A1 11  
I/O0 - I/O7  
NC  
A0 12  
I/O0 13  
I/O1 14  
I/O2 15  
GND 16  
VSOP Top View (8 x 14 mm) or  
TSOP Top View (8 x 20 mm)  
Type 1  
A11  
A9  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
OE  
PLCC Top View  
2
A10  
CE  
A8  
3
A13  
A14  
NC  
WE  
VCC  
NC  
NC  
A15  
A12  
A7  
4
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
5
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
5
6
7
8
9
29 A14  
6
28 A13  
27 A8  
26 A9  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CE  
21 I/O7  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A2 10  
A1 11  
A0 12  
I/O0 13  
A6  
A1  
A5  
A2  
Rev. 1026C–09/98  
A4  
A3  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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