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AT28HC256E-12DI

更新时间: 2024-11-23 19:22:15
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爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器ATM异步传输模式内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 339K
描述
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

AT28HC256E-12DI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.6
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
其他特性:HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION; DATA RETENTION = 10 YEARS命令用户界面:NO
数据轮询:YES数据保留时间-最小值:10
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-GDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:37.25 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
页面大小:64 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.72 mm最大待机电流:0.05 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
宽度:15.24 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

AT28HC256E-12DI 数据手册

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