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Datasheet > 存储 > EEPROM> AT28HC256E-12JC
AT28HC256E-12JC PDF预览

AT28HC256E-12JC

更新时间： 2024-01-16 07:30:44
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 448K
描述
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs

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AT28HC256E-12JC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：PGA
包装说明：PGA, PGA28(UNSPEC)针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.6
最长访问时间：120 ns其他特性：HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：10耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-CPGA-P28JESD-609代码：e0
长度：16.5 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：PGA封装等效代码：PGA28(UNSPEC)
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.4 mm最大待机电流：0.06 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.133 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
宽度：14 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

AT28HC256E-12JC 数据手册

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Features  
• Fast Read Access Time - 70 ns  
• Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
• Fast Write Cycle Times  
– Page Write Cycle Time: 3 ms or 10 ms Maximum  
– 1 to 64-Byte Page Write Operation  
• Low Power Dissipation  
– 80 mA Active Current  
– 3 mA Standby Current  
256 (32K x 8)  
High Speed  
Parallel  
• Hardware and Software Data Protection  
• DATA Polling for End of Write Detection  
• High Reliability CMOS Technology  
– Endurance: 104 or 105 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
• Single 5V ± 10% Supply  
• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
• JEDEC Approved Byte-Wide Pinout  
• Full Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges  
EEPROMs  
AT28HC256  
Description  
The AT28HC256 is a high-performance Electrically Erasable and Programmable  
Read Only Memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Man-  
ufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the AT28HC256  
(continued)  
Pin Configurations  
TSOP  
Top View  
Pin Name  
A0 - A14  
CE  
Function  
Addresses  
OE  
A11  
A9  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CE  
2
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
3
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A8  
4
OE  
A13  
WE  
VCC  
A14  
A12  
A7  
5
6
WE  
7
8
I/O0 - I/O7  
NC  
9
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
A5  
DC  
Don’t Connect  
A4  
A1  
A3  
A2  
LCC, PLCC  
Top View  
CERDIP, PDIP, FLATPACK  
Top View  
PGA  
Top View  
A14  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
28 VCC  
27 WE  
26 A13  
25 A8  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
27 A11  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
A6  
A5  
24 A9  
A4  
23 A11  
22 OE  
21 A10  
20 CE  
19 I/O7  
18 I/O6  
17 I/O5  
16 I/O4  
15 I/O3  
A3  
A2  
A1 10  
A0 11  
A1  
A0 10  
I/O0 11  
I/O1 12  
I/O2 13  
GND 14  
NC 12  
I/O0 13  
Rev. 0007G–10/98  
Note: PLCC package pins 1 and  
17 are DON’T CONNECT.  
1
1234567...16

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AT28HC256E-12JC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT28HC256-12JI ATMEL

完全替代

 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
AT28HC256E-12SI ATMEL

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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