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AT28HC256E-12DM/883 PDF预览

AT28HC256E-12DM/883

更新时间： 2024-11-25 22:11:39
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 448K
描述
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs

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AT28HC256E-12DM/883 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：7.87
最长访问时间：120 ns其他特性：AUTOMATIC WRITE
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-GDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：37.25 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883 Class B座面最大高度：5.72 mm
最大待机电流：0.0003 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

AT28HC256E-12DM/883 数据手册

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Features  
• Fast Read Access Time - 70 ns  
• Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
• Fast Write Cycle Times  
– Page Write Cycle Time: 3 ms or 10 ms Maximum  
– 1 to 64-Byte Page Write Operation  
• Low Power Dissipation  
– 80 mA Active Current  
– 3 mA Standby Current  
256 (32K x 8)  
High Speed  
Parallel  
• Hardware and Software Data Protection  
• DATA Polling for End of Write Detection  
• High Reliability CMOS Technology  
– Endurance: 104 or 105 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
• Single 5V ± 10% Supply  
• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
• JEDEC Approved Byte-Wide Pinout  
• Full Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges  
EEPROMs  
AT28HC256  
Description  
The AT28HC256 is a high-performance Electrically Erasable and Programmable  
Read Only Memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Man-  
ufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the AT28HC256  
(continued)  
Pin Configurations  
TSOP  
Top View  
Pin Name  
A0 - A14  
CE  
Function  
Addresses  
OE  
A11  
A9  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CE  
2
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
3
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A8  
4
OE  
A13  
WE  
VCC  
A14  
A12  
A7  
5
6
WE  
7
8
I/O0 - I/O7  
NC  
9
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
A5  
DC  
Don’t Connect  
A4  
A1  
A3  
A2  
LCC, PLCC  
Top View  
CERDIP, PDIP, FLATPACK  
Top View  
PGA  
Top View  
A14  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
28 VCC  
27 WE  
26 A13  
25 A8  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
27 A11  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
A6  
A5  
24 A9  
A4  
23 A11  
22 OE  
21 A10  
20 CE  
19 I/O7  
18 I/O6  
17 I/O5  
16 I/O4  
15 I/O3  
A3  
A2  
A1 10  
A0 11  
A1  
A0 10  
I/O0 11  
I/O1 12  
I/O2 13  
GND 14  
NC 12  
I/O0 13  
Rev. 0007G–10/98  
Note: PLCC package pins 1 and  
17 are DON’T CONNECT.  
1
1234567...16

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与AT28HC256E-12DM/883相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28HC256E-12FM/883 ATMEL

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 		256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
AT28HC256E-12FM/883 MICROCHIP

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 		IC EEPROM 256KBIT 120NS 28FLATPK
AT28HC256E-12JC ATMEL

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 		256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
AT28HC256E-12JCT/R ATMEL

获取价格

 		EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT28HC256E-12JI ATMEL

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 		256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
AT28HC256E-12JIT/R ATMEL

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 		EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT28HC256E-12JJT/R ATMEL

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 		EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT28HC256E-12JLT/R ATMEL

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 		EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT28HC256E-12JU MICROCHIP

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 		IC EEPROM 256KBIT 120NS 32PLCC
AT28HC256E-12JU-T MICROCHIP

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