是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.12 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 37.0205 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 4.826 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC256E-12SC | ATMEL |
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256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs | |
AT28HC256E-12SCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SI | ATMEL |
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256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs | |
AT28HC256E-12SIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SJT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SLT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SU | MICROCHIP |
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IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC | |
AT28HC256E-12SU-202 | MICROCHIP |
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IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC | |
AT28HC256E-12SU-T | MICROCHIP |
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120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN | |
AT28HC256E-12TC | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |