是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.12 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 37.0205 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 4.826 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC256E-12PL | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28 | |
AT28HC256E-12SC | ATMEL |
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256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs | |
AT28HC256E-12SCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SI | ATMEL |
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256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs | |
AT28HC256E-12SIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SJT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SLT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SU | MICROCHIP |
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IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC | |
AT28HC256E-12SU-202 | MICROCHIP |
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IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC | |
AT28HC256E-12SU-T | MICROCHIP |
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120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN |