是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.72 |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.9 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.65 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC256E-12SI | ATMEL |
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256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs | |
AT28HC256E-12SIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SJT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SLT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28HC256E-12SU | MICROCHIP |
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IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC | |
AT28HC256E-12SU-202 | MICROCHIP |
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IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC | |
AT28HC256E-12SU-T | MICROCHIP |
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120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN | |
AT28HC256E-12TC | ATMEL |
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256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs | |
AT28HC256E-12TCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT28HC256E-12TI | ATMEL |
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256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |