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AT28BV256-20JU

更新时间： 2024-11-28 20:32:27
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器ATM异步传输模式内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 221K
描述
IC EEPROM 256KBIT 200NS 32PLCC

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AT28BV256-20JU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LCC-32
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：5 weeks
风险等级：2.2Is Samacsys：N
最长访问时间：200 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：10
耐久性：10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：32
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：64 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：245
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

AT28BV256-20JU 数据手册

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Features  
• Single 2.7V - 3.6V Supply  
• Fast Read Access Time – 200 ns  
• Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
• Fast Write Cycle Times  
– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum  
– 1- to 64-byte Page Write Operation  
• Low Power Dissipation  
256K (32K x 8)  
Battery-Voltage  
Parallel  
– 15 mA Active Current  
– 20 µA CMOS Standby Current  
• Hardware and Software Data Protection  
• Data Polling for End of Write Detection  
• High Reliability CMOS Technology  
– Endurance: 10,000 Cycles  
EEPROMs  
– Data Retention: 10 Years  
• JEDEC Approved Byte-wide Pinout  
• Industrial Temperature Ranges  
• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option Only  
AT28BV256  
1. Description  
The AT28BV256 is a high-performance electrically erasable and programmable read-  
only memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Manufac-  
tured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access  
times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is deselected,  
the CMOS standby current is less than 200 µA.  
The AT28BV256 is accessed like a Static RAM for the read or write cycle without the  
need for external components. The device contains a 64-byte page register to allow  
writing of up to 64 bytes simultaneously. During a write cycle, the addresses and 1 to  
64 bytes of data are internally latched, freeing the address and data bus for other  
operations. Following the initiation of a write cycle, the device will automatically write  
the latched data using an internal control timer. The end of a write cycle can be  
detected by Data polling of I/O7. Once the end of a write cycle has been detected a  
new access for a read or write can begin.  
Atmel’s AT28BV256 has additional features to ensure high quality and manufactura-  
bility. The device utilizes internal error correction for extended endurance and  
improved data retention characteristics. An optional software data protection mecha-  
nism is available to guard against inadvertent writes. The device also includes an  
extra 64 bytes of EEPROM for device identification or tracking.  
0273K–PEEPR–2/09  
1234567...17

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AT28BV256-20JU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT28BV256-20JI ATMEL

功能相似

 256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28
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