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AT28BV256-20PL

更新时间： 2024-11-28 13:00:51

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爱特美尔 - ATMEL		电池可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
16页	255K
描述
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28

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AT28BV256-20PL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.29
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e3
长度：	37.0205 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.826 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

AT28BV256-20PL 数据手册

Features

• Single 2.7V - 3.6V Supply

• Fast Read Access Time – 200 ns

• Automatic Page Write Operation

– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes

– Internal Control Timer

• Fast Write Cycle Times

– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum

– 1- to 64-byte Page Write Operation

• Low Power Dissipation

– 15 mA Active Current

256K (32K x 8)

Battery-Voltage

Parallel

– 20 µA CMOS Standby Current

• Hardware and Software Data Protection

• DATA Polling for End of Write Detection

• High Reliability CMOS Technology

– Endurance: 10,000 Cycles

– Data Retention: 10 Years

• JEDEC Approved Byte-wide Pinout

EEPROMs

• Commercial and Industrial Temperature Ranges

Description

AT28BV256

The AT28BV256 is a high-performance Electrically Erasable and Programmable Read

Only Memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Manufac-

tured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access

times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is deselected,

the CMOS standby current is less than 200 µA.

PDIP, SOIC – Top View

Pin Configurations

A14

A12

VCC

A13

Pin Name

A0 - A14

Function

Addresses

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

Data Inputs/Outputs

No Connect

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O0

I/O1

I/O2

GND

I/O0 - I/O7

Don’t Connect

Note:

1. Note: PLCC package pins 1 and 17

are DON’T CONNECT.

PLCC – Top View

TSOP – Top View

A11

A10

29 A8

28 A9

27 A11

26 NC

25 OE

24 A10

23 CE

22 I/O7

21 I/O6

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

A13

VCC

A14

A12

A1 10

A0 11

NC 12

I/O0 13

0273H–PEEPR–10/04

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT28BV256-20PU	ATMEL	获取价格	256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs
AT28BV256-20SC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28BV256-20SI	ATMEL	获取价格	256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs
AT28BV256-20SJ	MICROCHIP	获取价格	EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
AT28BV256-20SU	MICROCHIP	获取价格	IC EEPROM 256KBIT 200NS 28SOIC
AT28BV256-20SU	ATMEL	获取价格	256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs
AT28BV256-20SU-T	MICROCHIP	获取价格	200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
AT28BV256-20TC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28BV256-20TI	ATMEL	获取价格	256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs
AT28BV256-20TU	ATMEL	获取价格	256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs

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