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AT28BV256-20SI PDF预览

AT28BV256-20SI

更新时间： 2024-11-28 06:38:19
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
18页 291K
描述
256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs

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AT28BV256-20SI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP28,.4针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.67
最长访问时间：200 ns其他特性：AUTOMATIC WRITE
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：10耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：17.9 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm最大待机电流：0.00005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
宽度：7.5 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

AT28BV256-20SI 数据手册

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Features  
•
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Single 2.7V - 3.6V Supply  
Fast Read Access Time – 200 ns  
Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
•
•
Fast Write Cycle Times  
– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum  
– 1- to 64-byte Page Write Operation  
Low Power Dissipation  
256K (32K x 8)  
Battery-Voltage  
Parallel  
– 15 mA Active Current  
– 20 µA CMOS Standby Current  
Hardware and Software Data Protection  
Data Polling for End of Write Detection  
High Reliability CMOS Technology  
– Endurance: 10,000 Cycles  
•
•
•
EEPROMs  
– Data Retention: 10 Years  
•
•
•
JEDEC Approved Byte-wide Pinout  
Industrial Temperature Ranges  
Green (Pb/Halide-free) Packaging Option  
AT28BV256  
1. Description  
The AT28BV256 is a high-performance electrically erasable and programmable read-  
only memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Manufac-  
tured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access  
times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is deselected,  
the CMOS standby current is less than 200 µA.  
The AT28BV256 is accessed like a Static RAM for the read or write cycle without the  
need for external components. The device contains a 64-byte page register to allow  
writing of up to 64 bytes simultaneously. During a write cycle, the addresses and 1 to  
64 bytes of data are internally latched, freeing the address and data bus for other  
operations. Following the initiation of a write cycle, the device will automatically write  
the latched data using an internal control timer. The end of a write cycle can be  
detected by Data polling of I/O7. Once the end of a write cycle has been detected a  
new access for a read or write can begin.  
Atmel’s AT28BV256 has additional features to ensure high quality and manufactura-  
bility. The device utilizes internal error correction for extended endurance and  
improved data retention characteristics. An optional software data protection mecha-  
nism is available to guard against inadvertent writes. The device also includes an  
extra 64 bytes of EEPROM for device identification or tracking.  
0273J–PEEPR–10/06  
1234567...18

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AT28BV256-20SI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT28LV256-20SI ATMEL

完全替代

 256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM
AT28BV256-20SU ATMEL

类似代替

 256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28BV256-20SJ MICROCHIP

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 		EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
AT28BV256-20SU MICROCHIP

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 		IC EEPROM 256KBIT 200NS 28SOIC
AT28BV256-20SU ATMEL

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 		256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs
AT28BV256-20SU-T MICROCHIP

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 		200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
AT28BV256-20TC ETC

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 		x8 EEPROM
AT28BV256-20TI ATMEL

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 		256K (32K x 8) Battery-Voltage Parallel EEPROMs
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 		IC EEPROM 256KBIT 200NS 28TSOP
AT28BV256-20TU-235 MICROCHIP

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 		IC EEPROM 256KBIT 200NS 28TSOP
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